RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Сравнить
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB против Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Средняя оценка
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
38
Около -9% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.7
10.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
6.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
35
Скорость чтения, Гб/сек
10.9
15.7
Скорость записи, Гб/сек
6.6
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1406
2767
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link