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SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Comparez
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Note globale
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Note globale
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Différences
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Raisons de considérer
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
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Raisons de considérer
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
38
Autour de -9% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.7
10.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
6.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
35
Vitesse de lecture, GB/s
10.9
15.7
Vitesse d'écriture, GB/s
6.6
11.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1406
2767
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
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Kingston 9965657-011.A00G 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston 9905598-039.A00G 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
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