RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Сравнить
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB против Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Средняя оценка
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
38
Около -65% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.1
10.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.0
6.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
23
Скорость чтения, Гб/сек
10.9
18.1
Скорость записи, Гб/сек
6.6
15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1406
3317
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link