RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Сравнить
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB против Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Средняя оценка
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
38
Около -65% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.1
10.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.0
6.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
23
Скорость чтения, Гб/сек
10.9
18.1
Скорость записи, Гб/сек
6.6
15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1406
3317
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link