RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Сравнить
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB против Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
43
Около -39% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.7
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.3
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
31
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
15.7
Скорость записи, Гб/сек
8.1
13.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1706
3318
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Сравнения RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link