RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Сравнить
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB против Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Средняя оценка
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
43
Около -19% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.6
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
36
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
15.0
Скорость записи, Гб/сек
8.1
10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1706
2247
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Сравнения RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link