RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
30
Около 20% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.2
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
30
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3117
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link