RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Сравнить
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB против Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Средняя оценка
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
71
Около 48% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.2
6.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
9.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
14900
Около 1.43 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
71
Скорость чтения, Гб/сек
9.8
15.6
Скорость записи, Гб/сек
7.2
6.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
14900
21300
Other
Описание
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-10-9-28 / 1866 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2065
1650
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link