SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB против SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB

-->

Средняя оценка

SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB

SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB

Средняя оценка

SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB

SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB

Причины выбрать
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

37 38

Около 3% меньшая задержка

SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB

Причины выбрать
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

13.8 9.8

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

9.8 7.2

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 14900

Около 1.29 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB

SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

37 38
Скорость чтения, Гб/сек

9.8 13.8
Скорость записи, Гб/сек

7.2 9.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек

14900 19200

Other

Описание

PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

9-10-9-28 / 1866 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2065 2073

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB

Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB

Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB

Kingston 9905700-026.A00G 8GB

Kingston 9905700-026.A00G 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB

Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB

Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB

Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB

модули RAM

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB

Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB

G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB

Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB

модули RAM

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB

Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB

Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB

Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB

Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB

Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB

A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB

A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB

G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB

модули RAM

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB

Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB

Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208

модули RAM