RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Сравнить
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
14.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
59
Около -136% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.4
2,076.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
25
Скорость чтения, Гб/сек
4,723.5
14.2
Скорость записи, Гб/сек
2,076.1
7.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
741
2104
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link