RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Сравнить
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB против Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
37
Около -42% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.6
9.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.2
7.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
14900
Около 1.43 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
26
Скорость чтения, Гб/сек
9.8
18.6
Скорость записи, Гб/сек
7.2
16.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
14900
21300
Other
Описание
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-10-9-28 / 1866 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2065
3756
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB Сравнения RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kllisre 0000 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link