SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB против G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB

-->

Средняя оценка

SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB

SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB

G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB

Причины выбрать
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB

Сообщить об ошибке

G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

19 49

Около -158% меньшая задержка
Выше скорость чтения

20 8.2

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

15.0 5.2

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 10600

Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB

G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

49 19
Скорость чтения, Гб/сек

8.2 20.0
Скорость записи, Гб/сек

5.2 15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 17000

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1223 3383

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB

SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB

G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB

G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB

Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB

модули RAM

EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB

EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB

модули RAM

Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB

Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB

Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB

Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB

модули RAM

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Kingston 9932301-P01.A00G 4GB

Kingston 9932301-P01.A00G 4GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB

модули RAM

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB

Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB

модули RAM

Kingston 9905471-006.A01LF 4GB

Kingston 9905471-006.A01LF 4GB

A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB

A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB

модули RAM

Kingston 9905584-016.A00LF 4GB

Kingston 9905584-016.A00LF 4GB

Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB

Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB

Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB

модули RAM

AMD R5316G1609U2K 8GB

AMD R5316G1609U2K 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB

Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB

модули RAM

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB

модули RAM