SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB

SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB против Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB

SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB

Средняя оценка
star star star star star
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB

Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    28 left arrow 46
    Около -64% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    18.5 left arrow 11.6
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    15.7 left arrow 8.0
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    17000 left arrow 12800
    Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    46 left arrow 28
  • Скорость чтения, Гб/сек
    11.6 left arrow 18.5
  • Скорость записи, Гб/сек
    8.0 left arrow 15.7
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    1854 left arrow 3601
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения