RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Сравнить
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.0
7.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
46
Около -84% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.2
11.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
25
Скорость чтения, Гб/сек
11.6
14.2
Скорость записи, Гб/сек
8.0
7.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1854
2104
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link