RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Сравнить
SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB против SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB
Средняя оценка
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
12.5
12
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.3
7.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
12800
8500
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
46
Около -53% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR3
Задержка в PassMark, нс
46
30
Скорость чтения, Гб/сек
12.5
12.0
Скорость записи, Гб/сек
9.3
7.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
8500
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1066 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2048
1948
SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
SK Hynix HMT351S6AFR8C-H9 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Nanya Technology M2X8G64CB8HB5N-DG 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link