RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Сравнить
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB против Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.7
10.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.3
8.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
42
Около -20% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
35
Скорость чтения, Гб/сек
13.7
10.5
Скорость записи, Гб/сек
8.3
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2152
1998
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kllisre KRE-D3S1600M/8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KP223C-ELD 2GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link