RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Сравнить
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB против OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Средняя оценка
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
42
Около -40% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
13.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.6
8.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
30
Скорость чтения, Гб/сек
13.7
16.0
Скорость записи, Гб/сек
8.3
10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2152
3026
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kllisre KRE-D3S1600M/8G 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link