RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Сравнить
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB против Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
48
Около -30% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
11.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.6
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
48
37
Скорость чтения, Гб/сек
11.6
16.0
Скорость записи, Гб/сек
7.8
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2029
2808
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
AMD R938G2130U2S 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link