RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Сравнить
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB против Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
43
48
Около -12% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.9
11.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.1
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
48
43
Скорость чтения, Гб/сек
11.6
13.9
Скорость записи, Гб/сек
7.8
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2029
2058
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link