RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Сравнить
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB против Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
41
76
Около 46% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.3
7.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.4
13.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
76
Скорость чтения, Гб/сек
13.7
14.4
Скорость записи, Гб/сек
9.3
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2290
1718
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link