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SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Compara
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB vs Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Puntuación global
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
41
76
En 46% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.3
7.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.4
13.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
76
Velocidad de lectura, GB/s
13.7
14.4
Velocidad de escritura, GB/s
9.3
7.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2290
1718
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
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