RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Сравнить
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
41
Около -58% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.8
13.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.5
9.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
26
Скорость чтения, Гб/сек
13.7
16.8
Скорость записи, Гб/сек
9.3
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2290
2880
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB Сравнения RAM
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link