RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Сравнить
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
41
Около -58% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.8
13.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.5
9.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
26
Скорость чтения, Гб/сек
13.7
16.8
Скорость записи, Гб/сек
9.3
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2290
2880
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB Сравнения RAM
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston K000MD44U 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link