RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Сравнить
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB против Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
41
Около -28% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.9
13.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.9
9.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
32
Скорость чтения, Гб/сек
13.7
15.9
Скорость записи, Гб/сек
9.3
11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2290
2831
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB Сравнения RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link