SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB против G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB

-->

Средняя оценка

SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB

SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB

G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB

Причины выбрать
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB

Сообщить об ошибке

G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

31 37

Около -19% меньшая задержка
Выше скорость чтения

16.5 15.1

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

15.6 9.9

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 14900

Около 1.14 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB

G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

37 31
Скорость чтения, Гб/сек

15.1 16.5
Скорость записи, Гб/сек

9.9 15.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

14900 17000

Other

Описание

PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота

9-10-9-28 / 1866 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2506 3142

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

AMD R948G3206U2S 8GB

AMD R948G3206U2S 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB

Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB

модули RAM

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB

Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB

модули RAM

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Kingston KHYXPX-HYJ 8GB

Kingston KHYXPX-HYJ 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB

Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266

модули RAM

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB

Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB

модули RAM

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB

Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB

Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB

модули RAM

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB

Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB

модули RAM

Corsair CMD8GX3M2A3000C12 4GB

Corsair CMD8GX3M2A3000C12 4GB

INTENSO M418039 8GB

INTENSO M418039 8GB

модули RAM

AMD AE34G1601U1 4GB

AMD AE34G1601U1 4GB

Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB

модули RAM

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Kingston XJ69DF-HYA 8GB

Kingston XJ69DF-HYA 8GB

модули RAM

Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB

Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB

Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB

Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB

модули RAM