RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
12.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
77
Около -148% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
31
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
16.8
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
3115
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link