RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
12.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
77
Wokół strony -148% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
31
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3115
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link