RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
12.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
77
Wokół strony -148% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
31
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3115
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link