RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Сравнить
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
27
Около -17% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.2
14.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.1
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
23
Скорость чтения, Гб/сек
14.8
18.2
Скорость записи, Гб/сек
9.0
15.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2650
3498
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB Сравнения RAM
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB Сравнения RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8A
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link