RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Сравнить
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
37
Около 24% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.6
10.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.2
7.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
37
Скорость чтения, Гб/сек
12.6
10.4
Скорость записи, Гб/сек
8.2
7.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1822
2213
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link