SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB против Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB

SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB

Средняя оценка
star star star star star
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    28 left arrow 41
    Около 32% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    13.3 left arrow 12.6
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    9.0 left arrow 8.2
    Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR3
  • Задержка в PassMark, нс
    28 left arrow 41
  • Скорость чтения, Гб/сек
    12.6 left arrow 13.3
  • Скорость записи, Гб/сек
    8.2 left arrow 9.0
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 12800
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    1822 left arrow 2016
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения