RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Сравнить
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB против Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
41
Около -11% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.4
10.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
7.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
37
Скорость чтения, Гб/сек
10.1
15.4
Скорость записи, Гб/сек
7.1
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1484
3075
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB Сравнения RAM
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link