RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Сравнить
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB против G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
41
Около -116% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.7
10.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.4
7.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
19
Скорость чтения, Гб/сек
10.1
20.7
Скорость записи, Гб/сек
7.1
16.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1484
3724
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB Сравнения RAM
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link