RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Сравнить
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB против Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Средняя оценка
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
41
53
Около 23% меньшая задержка
Причины выбрать
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.5
10.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.6
7.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
53
Скорость чтения, Гб/сек
10.1
16.5
Скорость записи, Гб/сек
7.1
9.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1484
2301
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB Сравнения RAM
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link