RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Сравнить
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB против Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Средняя оценка
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
41
53
Около 23% меньшая задержка
Причины выбрать
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.5
10.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.6
7.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
53
Скорость чтения, Гб/сек
10.1
16.5
Скорость записи, Гб/сек
7.1
9.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1484
2301
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB Сравнения RAM
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
King Tiger Technology Tigo-2133Mhz-8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link