RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
34
Около 29% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
34
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2468
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link