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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
総合得点
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
24
34
周辺 29% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
16
15.6
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.5
11.2
テスト平均値
考慮すべき理由
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
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仕様
技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
24
34
読み出し速度、GB/s
16.0
15.6
書き込み速度、GB/秒
12.5
11.2
メモリ帯域幅、mbps
19200
19200
Other
商品説明
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
タイミング / クロック速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
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