RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Сравнить
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
41
Около -32% меньшая задержка
Выше скорость чтения
11.8
10.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.1
7.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
31
Скорость чтения, Гб/сек
10.1
11.8
Скорость записи, Гб/сек
7.1
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1484
2354
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB Сравнения RAM
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link