RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Сравнить
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB против Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Средняя оценка
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
41
44
Около 7% меньшая задержка
Выше скорость чтения
10.1
8.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.1
5.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
44
Скорость чтения, Гб/сек
10.1
8.5
Скорость записи, Гб/сек
7.1
5.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1484
1660
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB Сравнения RAM
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Samsung M378B5273CH0-CK0 4GB
Samsung M378B5173BH0-CK0 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link