SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB против Shenzen Recadata Storage Technology 8GB

-->

Средняя оценка

SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB

SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB

Средняя оценка

Shenzen Recadata Storage Technology 8GB

Shenzen Recadata Storage Technology 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB

Причины выбрать
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB

Сообщить об ошибке

Shenzen Recadata Storage Technology 8GB

Причины выбрать
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

22 41

Около -86% меньшая задержка
Выше скорость чтения

17 10.1

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

10.5 7.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 12800

Около 1.5 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB

Shenzen Recadata Storage Technology 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

41 22
Скорость чтения, Гб/сек

10.1 17.0
Скорость записи, Гб/сек

7.1 10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 19200

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1484 2820

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

AMD R9S48G3206U2S 8GB

AMD R9S48G3206U2S 8GB

модули RAM

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB

Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB

модули RAM

Kingston 9905458-017.A01LF 4GB

Kingston 9905458-017.A01LF 4GB

Kingston 9905700-097.A00G 8GB

Kingston 9905700-097.A00G 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-515.A00LF 8GB

Kingston 9905403-515.A00LF 8GB

Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB

модули RAM

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB

Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB

Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB

модули RAM

Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB

Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB

Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB

Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB

Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB

Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB

модули RAM

AMD R5S38G1601U2S 8GB

AMD R5S38G1601U2S 8GB

Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB

Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB

модули RAM

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB

Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB

G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB

Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB

Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Kingston KMKYF9-MID 8GB

Kingston KMKYF9-MID 8GB

модули RAM

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB

модули RAM

Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB

Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB

Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB

модули RAM