RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Сравнить
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB против Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
11.7
10.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
42
Около -20% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.1
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
35
Скорость чтения, Гб/сек
11.7
10.5
Скорость записи, Гб/сек
8.0
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2535
1998
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT42GR7BFR4A-PB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Mushkin 991586 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link