RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Сравнить
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB против Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Средняя оценка
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
42
Около -83% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.1
11.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.0
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
23
Скорость чтения, Гб/сек
11.7
18.1
Скорость записи, Гб/сек
8.0
15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2535
3317
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT42GR7BFR4A-PB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link