RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Сравнить
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.2
7.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
52
Около -49% меньшая задержка
Выше скорость чтения
10.2
9.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
14900
Около 1.29 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
52
35
Скорость чтения, Гб/сек
9.9
10.2
Скорость записи, Гб/сек
8.2
7.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
14900
19200
Other
Описание
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2285
2124
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB Сравнения RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link