RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Сравнить
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB против Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Средняя оценка
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
44
74
Около 41% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.9
7.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.6
12.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
74
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
13.6
Скорость записи, Гб/сек
7.9
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2022
1616
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link