RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Comparez
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Note globale
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Note globale
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
44
74
Autour de 41% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.9
7.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.6
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
74
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
13.6
Vitesse d'écriture, GB/s
7.9
7.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2022
1616
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Kingston 99P5471-002.AOOLF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link