RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Сравнить
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB против Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Средняя оценка
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
40
44
Около -10% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.8
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.0
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
40
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
16.8
Скорость записи, Гб/сек
7.8
14.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1977
3015
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link