RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Сравнить
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB против Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
44
Около -63% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.1
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.7
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
27
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
20.1
Скорость записи, Гб/сек
7.8
16.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1977
3759
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link