RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
29
Около 3% меньшая задержка
Причины выбрать
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.2
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.6
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
29
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
18.2
Скорость записи, Гб/сек
9.6
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
3603
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link