RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Сравнить
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB против Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
44
50
Около 12% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.2
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.1
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
50
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
17.2
Скорость записи, Гб/сек
7.8
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1977
3277
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB Сравнения RAM
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link