RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Сравнить
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB против Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
39
44
Около -13% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.5
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.1
7.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR3
Задержка в PassMark, нс
44
39
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
12.5
Скорость записи, Гб/сек
7.8
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
12800
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1977
2096
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BF160BJ.T8 4GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link