RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Porównaj
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
44
Wokół strony -13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.5
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
7.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
44
39
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
12.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
12800
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1977
2096
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160BJ.T8 4GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link