RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Сравнить
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB против G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
44
Около -42% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.9
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.1
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
31
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
16.9
Скорость записи, Гб/сек
7.8
12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1977
2577
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905402-664.A00LF 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link