RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Сравнить
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB против G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
44
Около -29% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.5
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.5
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
34
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
16.5
Скорость записи, Гб/сек
7.8
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1977
3199
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Corsair CM3X8GA1600C10V2 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link