RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
25
Около -14% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.8
16.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.3
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
22
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
16.8
Скорость записи, Гб/сек
10.1
12.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
3036
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link